岗位职责
1、负责氮化镓半导体HEMT器件工艺的整合，包括样品表面清洁，光刻，刻蚀，蒸金属，退火，PECVD， ICP， RIE，减薄划片，过孔，背面蒸镀等工序的工艺流程制定及调试；
2、负责新产品的试生产，包括工艺菜单优化和工艺流程的优化，提高产品性能和成品率；
3、负责中试生产中出现的重大工艺问题的攻关组织工作，参与质量改进的分析和实施；
4、收集和记录实验数据，并进行分析，提交实验报告和相关技术文档。
任职资格
1、本科以上学历，物理，化学，材料，机械，电子，微电子及相关专业；
2、三年以上氮化镓半导体净化室的工艺制造工作经验，熟悉氮化镓半导体器件制造相关工艺流程和原理；
3、具有很强的工作协调能力，并积极地发现问题解决问题；
4、有氮化镓HEMT器件工艺制造经验者优先；
5、具有高度的责任心、很强的团队意识、创新意识，具有良好的抗压能力、学习能力、沟通能力和表达能力；
6、诚实正直，善于思考，做事严谨，勇于承担责任。
渝公网安备50009802501907号
人力资源服务许可证 渝人服证字[2019]第0700001613号
